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राज्यमंत्री आईसीएस और प्रौद्योगिकी के अनुप्रयोग पाठ्यक्रम, व्याख्यान, नोट्स और छात्रों के लिए पुस्तकों को कवर।
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यह विस्तार से राज्यमंत्री ICs और प्रौद्योगिकी के 114 विषयों को शामिल किया गया। ये 114 विषयों 8 इकाइयों में विभाजित कर रहे हैं
इस आवेदन में शामिल विषयों से कुछ हैं:
1. मूर की विधि।
2. उपलब्ध प्रौद्योगिकियों की तुलना
3. बुनियादी राज्यमंत्री ट्रांजिस्टर
4. संवर्धन मोड ट्रांजिस्टर कार्रवाई:
5. NMOS निर्माण:
6. CMOS fabrication- पी-अच्छी तरह से प्रक्रिया
7. CMOS निर्माण-एन-अच्छी तरह से प्रक्रिया:
8. CMOS निर्माण-ट्विन-टब प्रक्रिया
9. द्वि-CMOS प्रौद्योगिकी: - (द्विध्रुवी CMOS):
10 ई-बीम मास्क का उत्पादन
11. राज्यमंत्री ट्रांजिस्टर का परिचय
एक निश्चित Vds के लिए Vgs और आईडी, के बीच 12. रिश्ता
13. राज्यमंत्री समीकरणों (बेसिक डीसी समीकरणों):
14. दूसरा आदेश प्रभाव
15. CMOS Inveter लक्षण
16. इन्वर्टर डीसी लक्षण
इन्वर्टर डीसी लक्षण के 17. ग्राफिकल व्युत्पत्ति
18. शोर मार्जिन
19. स्टेटिक लोड राज्यमंत्री इन्वर्टर
20. ट्रांसमिशन द्वार
21. Tristate इन्वर्टर
NMOS प्रक्रिया के लिए 22. स्टिक चित्र-एन्कोडिंग
CMOS प्रक्रिया के लिए 23 एन्कोडिंग
BJT और MOSFETs के लिए 24. एन्कोडिंग
25. NMOS और CMOS डिजाइन शैली
26. डिजाइन नियम - राज्यमंत्री ICs और प्रौद्योगिकी
27. के माध्यम से
28. CMOS लैम्ब्डा आधारित डिजाइन नियम
29. ऑर्बिट 2um CMOS प्रक्रिया
30. प्रतिरोध आकलन।
राज्यमंत्री ट्रांजिस्टर के 31 शीट प्रतिरोध
32. धारिता आकलन
33. देरी
34. इन्वर्टर देरी
देरी के 35. औपचारिक आकलन
36. ड्राइविंग बड़े संधारित्र लोड
च की 37. इष्टतम मूल्य
38. सुपर बफर
39. BiCMOS ड्राइवरों
40. प्रचार देरी
41. समाई के अन्य स्रोतों
परतों के 42 विकल्प
राज्यमंत्री उपकरणों के 43 स्केलिंग
44 बेसिक शारीरिक डिजाइन एक सिंहावलोकन
45 बेसिक शारीरिक डिजाइन एक सिंहावलोकन
46. योजनाबद्ध और बुनियादी के लेआउट द्वार-इन्वर्टर गेट
47. योजनाबद्ध और बुनियादी फाटकों-नन्द और न ही गेट के लेआउट
48. ट्रांसमिशन गेट
49 CMOS मानक सेल डिजाइन
प्रदर्शन के लिए 50 लेआउट अनुकूलन
51. सामान्य लेआउट दिशानिर्देश
52. BiCMOS तर्क
53. छद्म NMOS तर्क
54. छद्म nmos- मल्टी नाली तर्क और ganged तर्क के अन्य रूपों
55 छद्म nmos- गतिशील CMOS तर्क के अन्य रूपों
nmos- क्लॉक CMOS तर्क छद्म के 56. अन्य रूपों (C2MOS)
57. CMOS डोमिनो तर्क
58. Cascaded वोल्टेज स्विच तर्क
59 पास ट्रांजिस्टर तर्क
60. CMOS प्रौद्योगिकी तर्क सर्किट संरचनाओं
राज्यमंत्री सर्किट की 61 स्केलिंग
62. प्रौद्योगिकी स्केलिंग
अर्धचालक के लिए 63. अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी रोडमैप (ITRS)
64 स्केलिंग मॉडल और डिवाइस पैरामीटर के लिए स्केलिंग कारक
स्केलिंग के 65 निहितार्थ
66. इंटरकनेक्ट संकट
67. पहुंच योग्य त्रिज्या
68. गतिशील और स्टेटिक पावर
69 उत्पादकता और भौतिक सीमाओं
स्केलिंग के 70 सीमाएं
71 सब्सट्रेट डोपिंग
72. रिक्तीकरण चौड़ाई
लघु रूपांतरण की 73. सीमाएं
इंटरकनेक्ट और संपर्क प्रतिरोध की 74 सीमाएं
75 उप दहलीज धाराओं के कारण सीमाएं
76 उप दहलीज धाराओं के कारण सीमाएं
77 प्रणाली
78 वीएलएसआई डिजाइन प्रवाह
79 3 संरचित डिजाइन दृष्टिकोण
80 नियमितता
एक स्विच के रूप में 81. MOSFET
स्विच की 82. समानांतर और श्रृंखला कनेक्शन
83 CMOS पलटनेवाला
84. NAND गेट डिजाइन
85 और न ही गेट डिजाइन
86. CMOS गुण
87. परिसर द्वार
88. परिसर फाटकों AOI
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तुम सब एक बहुत खुश लर्निंग
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Salahdine Marra
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Last updated on Feb 4, 2019
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Feb 4, 2019